IRF630NPBF دیتاشیت

Infineon IRF630NPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon IRF630NPBF
حجم فایل 77.088 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت Infineon IRF630NPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF630NPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 82W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 35nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 575pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 9.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 300mΩ@10V,5.4A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies